陈庆贵

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SOZ膜结晶质量的研究
《半导体技术》1992年第5期35-37,56,共4页陈庆贵 高培德 褚卫兵 史日华 孙克怡 董奇伟 董荣康 
研究了预处理工艺对SOZ膜结晶质量的影响。用SEM、AES,SIMS及TEM技术分析其原因。结果表明,预处理工艺以1200～1250℃、60～120分为好。
关键词：SOZ膜 结晶 质量 
克服铝自掺杂工艺的新进展
《半导体技术》1991年第1期31-32,共2页陈庆贵 史日华 
国家自然科学基金
克服铝自掺杂的高温处理新工艺与背封工艺一样,能起到抑制铝自掺杂的作用。该工艺已在实践中取得应用。
关键词：铝 掺杂工艺 高温处理 半导体器件 
氧化钇稳定的氧化锆上外延硅生长的研究
《应用科学学报》1990年第3期268-270,共3页陈庆贵 史日华 
绝缘衬底上高质量亚微米厚硅单晶膜的获得对于制成高速度、高集成度、低功能和抗辐射的集成电路十分重要.蓝宝石上外延硅膜的生长和其CMOS/SOS集成电路的研究已为国内外学者所重视.然而氧化钇稳定的氧化锆(Yt-tria-Stabilized cubic Zir...
关键词：硅单晶膜 氧化锆 氧化钇 外延生长 
高可靠SOS固态压力传感器
《半导体技术》1990年第4期33-37,共5页陈庆贵 史日华 滕征杰 许和平 
本文报导了高可靠SOS压力传感器研制的实验结果,特别是可靠性试验方法和应用效果。所得传感器的主要性能为:量程0～20MPa,工作温度-55°～300℃,精度0.2～0.5％,满度输出100±20mV,平均寿命(MTTF)≥1×10~6次。
关键词：压力传感器 SOS 固态 硅-蓝宝石 
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