克服铝自掺杂工艺的新进展  

作　　者：陈庆贵[1] 史日华 

机构地区：[1]中科院上海冶金研究所

出　　处：《半导体技术》1991年第1期31-32,共2页Semiconductor Technology

基　　金：国家自然科学基金

摘　　要：克服铝自掺杂的高温处理新工艺与背封工艺一样,能起到抑制铝自掺杂的作用。该工艺已在实践中取得应用。

关 键 词：铝 掺杂工艺 高温处理 半导体器件 

分 类 号：TN305.3[电子电信—物理电子学]