硅微波功率晶体管内匹配及功率合成研究  

Study on Intermatching and Power Combination for Si Microwave Power Transistor

作　　者：何庆国[1] 王长河[1] 蔡树军 

机构地区：[1]机电部第13研究所,石家庄050051

出　　处：《半导体情报》1992年第3期14-21,共8页Semiconductor Information

摘　　要：本文介绍了常用的T型网络和Л型网络及双节四元件网络。着重论述T型网络的设计方法,分析T型网络的带宽特性与相移特性,讨论了工艺偏差对匹配特性的影响,并对晶体管的功率合成进行了研究。在上述基础上,进行了双胞内匹配及合成研究,得到了工作频率为2.7～3.1GHz时,单胞连续波输出功率4.4W,双胞合成输出为7.8W的管子,合成效率达88.6％。Commonly used T network, JI network,and two-section four-reactance network are introduced. The design of T network is emphasized. The properties of band-width and phaseshift of T network are analyzed. Tile influence of technology on matching network is discussed. For single chip device, 4.4 W and for two-cell matching transistor 7.8 W of CW output powerat 2.7～3.1 GHz are obtained. The efficiency of matching is over 88.6%.

关 键 词：功率合成技术 阻抗匹配 功率晶体管 

分 类 号：TN323.4[电子电信—物理电子学]