Ni/Pd/Si固相反应及NiSi热稳定性增强研究  

Solid Phase Reaction of Ni/Pd/Si(100) and Enhancement of NiSi Thermal Stability Study

作　　者：屈新萍[1] 茹国平[1] 李炳宗[1] C.Detavernier R.Van Meirhaeghe 

机构地区：[1]复旦大学微电子学系ASIC和系统国家重点实验室,上海200433 [2]Departement of Solid State Science,Gent University

出　　处：《Journal of Semiconductors》2002年第11期1173-1177,共5页半导体学报（英文版）

基　　金：国家自然科学基金 (批准号 :60 10 60 0 2 ) ;上海市教委和上海教育发展基金会曙光计划 ;中国教育部博士点基金 ;国家科委 -比利时弗兰德合作资助项目~~

摘　　要：研究了 Ni/ Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程 .结果表明 ,加入 Pd层后 ,退火形成 Ni1 - x Pdx Si固熔体 ,该固熔体比 Ni Si的热稳定性好 ,使得 Ni Si向 Ni Si2 的转变温度升高 .加入 Pd的量越多 ,Ni Si2 的成核温度越高 ,并用经典成核理论解释了该现象 .The silicide formation for Ni/Pd bilayers on Si substrate is investigated.The results show that,when adding Pd into Ni/Si,thermal annealing leads to formation of a solid solution Ni 1-x Pd x Si layer with better thermal stability than NiSi.The nucleation temperature for NiSi 2 is retarded due to the Pd addition.The more Pd added,the higher the NiSi 2 nucleation temperature is.In the mean time,the nucleation for PdSi is promoted due to Ni addition.The enhancing of NiSi thermal stability is well explained by classic nucleation theory.

关 键 词：NISI 成核 固熔体 热稳定性 硅化镍 集成电路 镍钯硅三元化合物 Ni/Pd/Si固相反应 

分 类 号：TN304.54[电子电信—物理电子学]