底电极材料的氧活性对阻变窗口的影响研究  

作　　者：周歧刚[1] 

机构地区：[1]乐山师范学院物理与电子工程学院,四川乐山614004

出　　处：《电子工程学院学报》2019年第8期150-150,共1页Journal of The College of Electronic Engineering

摘　　要：电极材料的氧活性与其对应金属氧化物的标准摩尔生成吉布斯自由能有很大关系,吉布斯自由能越低,电极材料越容易与氧结合,电阻转变过程中的流动氧运动到底电极后就越难以回到阻变功能层,阻变功能层中的导电丝就越来越强壮,高态电阻就越来越低,阻变窗口就越来越小。

关 键 词：阻变存储器 

分 类 号：G63[文化科学—教育学]