镍与硅基n型锗薄膜欧姆接触的研究  

作　　者：陈城钊 李云 邱胜桦 刘翠青 

机构地区：[1]韩山师范学院物理与电子工程学院

出　　处：《信息记录材料》2019年第11期31-33,共3页Information Recording Materials

基　　金：广东省自然科学基金项目(2016A030307038);广东省教育厅创新强校工程自然科学特色创新项目(2015KTSCX090)

摘　　要：金属与Si基n-Ge形成的欧姆接触的比接触电阻高,是制约Si基n-Ge器件性能的关键因素之一,因此选用恰当的金属作为其欧姆接触的金属电极获得较低的比接触电阻极为重要。本文选取了三个掺杂浓度不同的Si基n-Ge材料,通过溅射Ni形成金属-半导体接触,并通过线性传输线方法(LTML)对其欧姆接触的比接触电阻进行研究。结果发现,Ni与掺杂浓度为6.61×10^18cm^-3的n-Ge欧姆接触获得了最低的比接触电阻,并计算出其欧姆接触的比接触电阻为pc=4.31×10^-4Ω·cm^2。

关 键 词：Si基n-Ge薄膜 欧姆接触 线性传输线方法 比接触电阻 

分 类 号：TN30[电子电信—物理电子学]