关于1.25Gbps并串转换CMOS集成电路研究  

Research on 1.25Gbps Parallel to Serial Conversion CMOS IC

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作  者:黎翠凤[1] LI Cui-feng(Ludong University,Yantai Shandong 264001)

机构地区:[1]鲁东大学

出  处:《数字技术与应用》2019年第12期21-21,23,共2页Digital Technology & Application

摘  要:伴随社会经济的持续化发展,现代网络通信系统在此背景下,呈现出迅猛的发展势头。本文围绕1.25Gbps并串转换互补金属氧化物半导体(CMOS),首先简要分析了其芯片结构,探讨了其电路,并进行了仿真分析,望能为此领域研究提供学习借鉴。With the sustainable development of social economy, the modern network communication system presents a rapid development momentum in this context. This paper focuses on 1.25 gbps parallel to serial conversion complementary metal oxide semiconductor(CMOS). Firstly,the chip structure is analyzed, the circuit is discussed, and the simulation analysis is carried out, hoping to provide reference for the research in this field.

关 键 词:互补金属氧化物半导体 1.25Gbps 并串转换 集成电路 

分 类 号:TN432[电子电信—微电子学与固体电子学]

 

参考文献:

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引证文献:

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