掺杂纳米硅发光调控与CS效应  

作　　者：黄伟其 黄忠梅[2] 刘世荣[3] 彭鸿雁[1] 

机构地区：[1]物理与电子工程学院,海南师范大学,海南海口571158 [2]材料与冶金学院,贵州大学,贵州贵阳550025 [3]环境化学国家重点实验室,中国科学院地球化学研究所,贵州贵阳550025

出　　处：《中国科技成果》2020年第2期11-11,共1页China Science and Technology Achievements

摘　　要：最近,英特尔和谷歌等大公司投巨资予量子计算机的研发,以期实现光子信息时代芯片级革命性的突破;其中,硅芯片上用于光互联的相干光源与光子传播节点是重要的研究工作瓶颈.由于四族半导体硅材料是间接带隙跃迁能带结构,所以发光效率不高;而硅基材料在电子信息发展中有很好的基础,所以科学家们试图通过硅的低维纳米结构来实现直接带隙跃迁能带转换,从而改进其发光性质.

关 键 词：量子计算机 电子信息 谷歌 硅基材料 相干光源 硅芯片 光互联 芯片级 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]