集成双波导量子阱结构半导体光放大器的能带结构研究  

作　　者：陈旭[1] 侯文雷[2] 黄俊嘉 程大鹏 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第三十四研究所 [2]广西警察学院 [3]陆军特种作战学院

出　　处：《电子世界》2020年第7期27-28,共2页Electronics World

摘　　要：运用k·p法分析了半导体的能带结构。基于Luttinger-Kohn模型,对量子阱结构半导体的能带结构进行了求解;而且对考虑价带混合效应的应变量子阱的能带结构进行了数值分析。基于集成双波导半导体光放大器的光开关矩阵在全光包交换、全光波长转换方面具有明显的优势,而集成双波导半导体光放大器的光增益特性又是其光开关矩阵最主要的特性之一,因此研究其增益特性意义重大。该集成光放大器所用的半导体材料可分为体和量子阱结构半导体。

关 键 词：半导体光放大器 量子阱结构 增益特性 全光波长转换 半导体材料 光开关矩阵 应变量子阱 能带结构 

分 类 号：TN7[电子电信—电路与系统]