重复经颅磁刺激对脑卒中后工作记忆障碍的影响  

作　　者：王聪 巩尊科 王蜜[2] 王世雁[2] 陈姣姣[2] 

机构地区：[1]徐州医科大学第二临床学院,江苏徐州221004 [2]徐州市中心医院康复科,江苏徐州221009

出　　处：《神经损伤与功能重建》2020年第5期298-299,302,共3页Neural Injury and Functional Reconstruction

基　　金：徐州市科技局科技创新项目(No.KC16SW176)。

摘　　要：目的:观察重复经颅磁刺激(rTMS)对脑卒中后工作记忆(WM)障碍的影响。方法:脑卒中后WM障碍患者60例,随机分为观察组和对照组各30例。2组均予常规康复治疗,观察组另予rTMS治疗,2组患者治疗前后分别进行数字顺背/倒背、n-back测试及MRS代谢物测定。结果:治疗前观察组与对照组的数字正背/倒背、n-back及MRS检测神经代谢物的差异无统计学意义(P>0.05)。治疗后,对照组除数字正背成绩外,数字倒背、1-back、2-back及NAA/Cr、Cho/Cr结果较治疗前差异无统计学意义(P>0.05);观察组的数字正背、数字倒背、1-back、2-back测试成绩分别为6(5,6)、4(3,4)、18(17,19)、16(16,18)分,治疗前后差异均有统计学意义(P<0.05);观察组的NAA/Cr结果为1.40(1.28,1.49),较治疗前差异具有统计学意义(P<0.05),Cho/Cr结果为1.34(1.28,1.37),较治疗前差异无统计学意义(P>0.05);观察组的数字倒背、1-back、2-back测试成绩及NAA/Cr与对照组相比,差异有统计学意义(P<0.05),2组的数字正背及Cho/Cr差异无统计学意义(P>0.05)。结论:rTMS可改善脑卒中后WM功能。

关 键 词：脑卒中 工作记忆 磁共振波谱 重复经颅磁刺激 

分 类 号：R741[医药卫生—神经病学与精神病学] R741.05[医药卫生—临床医学]