非晶氧化物半导体材料及薄膜晶体管的研究进展  

作　　者：马梦阳 明雪梅 张鑫[1] 王超[1] 

机构地区：[1]吉林建筑大学电气与计算机学院

出　　处：《经济技术协作信息》2020年第14期92-93,共2页

基　　金：吉林建筑大学大学生创新创业训练计划项目201910191079。

摘　　要：非晶氧化物半导体材料(AOS)由于具有较高的载流子迁移率、对可见光的透过率高、大尺寸均匀性等优势,为超高清大屏显示、透明电路、柔性显示等新一代显示技术带来了发展契机,受到越来越多的关注。相应地,以AOS为有源层制备的薄膜晶体管(TFT)成为显示领域的研究热点。本文综述了AOS材料的研究进展、制备工艺以及AOS-TFT器件稳定性研究现状,可以预见,随着AOS TFT研究工作的进展,必将实现低成本、高性能器件制备工艺,适用于柔性、透明显示领域。

关 键 词：氧化物半导体 载流子迁移率 大屏显示 有源层 透明显示 超高清 柔性显示 透过率 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]