前言  

Preface

在线阅读下载全文

作  者:刘志勇[1] 窦勇[2] Liu Zhiyong

机构地区:[1]中国科学院计算技术研究所 [2]国防科技大学

出  处:《计算机研究与发展》2020年第6期1123-1124,共2页Journal of Computer Research and Development

摘  要:我们高兴地向读者推出本刊“计算机体系结构前沿技术”专题!本专题收录的6篇文章既包含不同技术领域和方向的综述,也包含了具体技术的发明和介绍.自旋转移力矩随机存储器(STTGRAM)是一种新型非易失性随机存储器.STTGRAM与传统的静态随机存储器(SRAM)分别在写入速度、集成密度、制造成本、功耗、使用寿命等方面各有优势和劣势,而综合这2种随机存储器件而形成的SRAM和STTGRAM混合缓冲存储器是一种重要的缓存结构.

关 键 词:随机存储器 计算机体系结构 缓冲存储器 写入速度 集成密度 GRAM 缓存结构 前沿技术 

分 类 号:TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]

 

参考文献:

正在载入数据...

 

二级参考文献:

正在载入数据...

 

耦合文献:

正在载入数据...

 

引证文献:

正在载入数据...

 

二级引证文献:

正在载入数据...

 

同被引文献:

正在载入数据...

 

相关期刊文献:

正在载入数据...

相关的主题
相关的作者对象
相关的机构对象