集成双波导量子阱结构半导体光放大器的增益特性研究  

作　　者：陈旭[1] 胡哲纲 许胜祥 阳奇 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第三十四研究所

出　　处：《电子世界》2020年第9期27-28,共2页Electronics World

摘　　要：在分析半导体能带结构的基础上,给出了量子阱结构半导体材料增益的理论分析模型,并对考虑价带混合效应的应变量子阱结构半导体的材料增益特性进行了数值仿真分析。基于集成双波导半导体光放大器的光开关矩阵在全光包交换、全光波长转换方面具有明显的优势,而集成双波导半导体光放大器的光增益特性又是其光开关矩阵最主要的特性之一,因此研究其增益特性意义重大。

关 键 词：半导体光放大器 量子阱结构 增益特性 全光波长转换 半导体材料 光开关矩阵 应变量子阱 全光包交换 

分 类 号：TN7[电子电信—电路与系统]