助力新基建 安世半导体升级GaN产品线  

出　　处：《半导体信息》2020年第3期5-7,共3页Semiconductor Information

摘　　要：近日,安世半导体宣布推出新一代H2技术的全新650V GaN(氮化镓)FET。重点应用场合包括电动汽车的车载充电器、高压DC-DC直流转换器和发动机牵引逆变器;1.5~5kW钛金级工业电源,用于机架装配的电信设备、5G设备和数据中心相关设备。

关 键 词：电信设备 工业电源 氮化镓 半导体 GAN 数据中心 直流转换器 牵引逆变器 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]