Diodes推出3.3mm单芯片封装双MOSFET  

出　　处：《半导体信息》2020年第3期22-22,共1页Semiconductor Information

摘　　要：Diodes Incorporated宣布推出新一代分立MOSFET的首款产品。DMN3012LEG以较小的封装提供更高的效率,从而在各种电源转换和控制应用中提供了可观的成本,功率和空间节省。与典型的两芯片解决方案相比,DMN3012LEG在尺寸仅为3.3mm×3.3mm的单个封装中集成了双MOSFET,并将电路板空间需求减少了多达50%。这种节省空间的优点是使用负载点(PoL)和电源管理模块的一系列应用程序。DMN3012LEG可用于DC-DC同步降压转换器和半桥电源拓扑中,以减小电源转换器解决方案的尺寸。

关 键 词：电源转换器 负载点 半桥 MOSFET 电源管理模块 应用程序 电路板空间 芯片解决方案 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]