晶圆代工大厂积极投入GaN制程开发  

出　　处：《半导体信息》2020年第3期36-36,共1页Semiconductor Information

摘　　要：近来,晶圆代工厂积极布局第三代半导体材料氮化镓(GaN),除龙头厂台积电已提供6吋GaN-on-Si(硅基氮化镓)晶圆代工服务外,世界先进GaN制程也预计年底送样,联电同样积极投入GaN制程开发,携手子公司联颖布局高效能电源功率组件市场。联电表示,GaN制程开发是现有研发计划中的重点项目之一,目前与转投资公司砷化镓(GaAs)晶圆代工厂联颖合作,仍处于研发阶段,初期将以6吋晶圆代工服务为目标,未来也会考虑迈向8吋代工。

关 键 词：晶圆代工 功率组件 GAN 重点项目 第三代半导体材料 研发计划 制程 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]