基于GaN-HEMT器件反激电源的设计  

作　　者：冯立康 

机构地区：[1]黄山市七七七电子有限公司

出　　处：《电子世界》2020年第13期124-125,共2页Electronics World

摘　　要：氮化镓器件(Gallium nitride)具有开关速度高、通态内阻低、体内无寄生二极管等优点;反激电源由于拓扑结构简单、副边无储能电感,体积小、成本低等优点在小功率电路中应用非常广泛,将二者结合起来能够更进一步提高反激电源的转换效率。采用内部集成GaN功率开关管的反激电源控制芯片设计并制作一款功率为40W、输入85VAC-265VAC、输出3-20V可调、电流最大5A的反激电源。在不同输入电压和负载条件下对电源样机转换效率以及负载动态特性进行测试,并且与集成芯片官网提供的数据进行比对,实验结果证明了电源样机方案的正确性。

关 键 词：拓扑结构 功率开关管 转换效率 开关速度 反激电源 功率电路 负载条件 集成芯片 

分 类 号：TP3[自动化与计算机技术—计算机科学与技术]