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作 者:吕贤亮[1] 黄东巍[1] 周钦沅 李旭 Lyu Xianliang;Huang Dongwei;Zhou Qinyuan;Li Xu(Research Center of Foundational Product,China Electronics Standardization Institute,Beijing 100176)
机构地区:[1]中国电子技术标准化研究院基础产品研究中心,北京100176
出 处:《电气技术》2020年第8期28-32,39,共6页Electrical Engineering
摘 要:本文针对垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试的关键参数——测试电流的影响因素进行研究,测试电流选择恰当与否是热阻测试的先决条件。通过理论分析和三款典型垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件的试验验证,得出一种通过测试电流自升温、测试延迟时间及校温曲线这3个方面有效确定垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件电学法热阻测试时测试电流的方法。The paper researched the measuring current,which was the key parameter of VDMOS electrical thermal resistance measurement.The proper selection of test current is the precondition of accurate thermal resistance test.By the theory analysis and experimental verification of three typical VDMOS devices,the test current in thermal resistance test of VDMOS devices can be determined from three aspects:measuring self-heating,measurement delay time and thermal calibration factor.
关 键 词:垂直双扩散金属-氧化物半导体场效应晶体管器件 电学法热阻 测试电流 测试延迟时间 校温曲线
分 类 号:TN386[电子电信—物理电子学]
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