第二十讲真空离子镀膜  

No.20:Vacuum ion plating

作　　者：张以忱[1] ZHANG Yi-chen

机构地区：[1]东北大学,辽宁沈阳110004

出　　处：《真空》2020年第5期85-88,共4页Vacuum

摘　　要：(接2020年第4期第96页)13.6负偏压对膜沉积过程的影响13.6.1直流偏压真空阴极电弧离子镀一般配置直流负偏压电源。它的正极接镀膜室壳(阳极接地),其阴极连接在基片(工件)上。其负电压从0^-1000V可调,构成对阴极电弧源(靶)和电弧放电等离子体负电位。正是带负偏压基片在等离子体中,基片表面附近的等离子鞘层对镀料离子实施加速,补给和调节离子能量,提高了离子对基片和膜层的轰击效应,增强了膜层的附着力和致密性,改善膜层结构和性能。

关 键 词：直流负偏压 电弧放电 膜层结构 离子能量 直流偏压 负电压 负电位 真空离子镀膜 

分 类 号：O484[理学—固体物理] TB43[理学—物理]