图形化衬底上GaN基高温缓冲层的研究  

作　　者：吴洪浩 周瑜 霍丽艳 

机构地区：[1]江西乾照光电有限公司,江西南昌330000

出　　处：《科学技术创新》2020年第32期36-37,共2页Scientific and Technological Innovation

摘　　要：针对图形化衬底上GaN基高温缓冲层的生长条件的研究,用以改善因蓝宝石衬底与GaN材料之间存在大的晶格失配和热膨胀系数失配而产生的大量的位错密度,抑制缺陷向外延表面的延伸,提高了GaN材料的晶体质量和器件的内量子效率。

关 键 词：GaN LED 低缺陷密度 晶体质量 

分 类 号：O472[理学—半导体物理]