负电容场效应晶体管研究进展  

作　　者：周家伟 徐礼磊 葛凡 

机构地区：[1]南京邮电大学

出　　处：《电子世界》2020年第23期27-28,共2页Electronics World

摘　　要：在传统场效应晶体管的发展中,由于亚阈值摆幅(SS)极限的存在(60 mV/dec),在超大规模集成电路(ULSI)中,电源电压的缩放受到物理障碍的限制,如何降低电路的功耗成为很多人研究的重点。为了解决这些问题,提出了铁电负电容场效应晶体管(Fe-NCFET),通过内部电压放大机制来降低SS,从而有效地降低了ULSI的供电电压,显著降低了功耗。本文介绍了负电容效应的研究背景和意义,对NCFET的物理模型和仿真方法进行了讨论。

关 键 词：场效应晶体管 负电容 电压放大 电源电压 亚阈值摆幅 电容效应 供电电压 ULSI 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]