SK海力士成功研发176层NAND闪存  

出　　处：《中国集成电路》2021年第1期56-56,共1页China lntegrated Circuit

摘　　要：SK海力士日前表示,近期成功研发出基于三层存储单元(TLC)的176层512Gb(千兆位)NAND闪存。第三代4D NAND闪存达到业界最高水平,比上一代128层产品提高了35%以上生产率,增强了产品成本竞争力。另外,新产品的读取速度比上一代加快20%,数据传输速度达到每秒1.6Gb,提高了33%。

关 键 词：NAND闪存 数据传输速度 读取速度 存储单元 千兆位 海力士 第三代 生产率 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]