检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:张信豪
机构地区:[1]芯测科技股份有限公司
出 处:《中国集成电路》2021年第1期70-71,共2页China lntegrated Circuit
摘 要:前言随着半导体技术不断发展,市面上的各种不同种类、特性的内存,诸如SRAM、ROM、Embedded Flash、DRAM、Embedded DRAM等纷纷被开发和广泛应用,而每个不同种类的内存,甚至不同供货商、不同制造厂提供的内存可能产生的缺陷也都不尽相同。为确保芯片上的内存工作正常,内建自我测试技术(Built-In Self-Test,BIST)成为芯片实作中,不可或缺的一部分。其作用是通过自我测试电路来提高测试的错误涵盖率,缩短设计周期,增加产品可靠度,并加快产品的上市速度。
关 键 词:用户自定义 半导体技术 自我测试 DRAM Flash 内存测试 测试电路 上市速度
分 类 号:TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]
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