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作 者:宋爱武 李富华[1] 黄祥林 孙波 SONG Aiwu;LI Fuhua;HUANG Xianglin;SUN Bo(Soochow University,Suzhou 215000,China;Kunyuan Microelectronics Co.,Ltd.,Suzhou 215000,China)
机构地区:[1]苏州大学,江苏苏州215000 [2]坤元微电子有限公司,江苏苏州215000
出 处:《电子与封装》2021年第1期67-71,共5页Electronics & Packaging
摘 要:为了解决传统上电复位电路电源阈值电压受工艺和温度的影响,提出了以Brokaw带隙基准源为基础结构,由采样电路、电流比较电路和电平转换电路等模块组成的可实现精确复位的上电复位电路。增加带迟滞功能的设计,减小了电源噪声对输出电路的影响。采用0.5μm CMOS工艺并对电路进行仿真。结果显示该电路工作在5 V电源电压,典型工艺和温度下电源阈值为3.19 V,在不同的工艺和温度下对电源阈值的影响较小,误差范围在0.31%~4.7%。In order to solve the traditional influence of process and temperature on the threshold voltage of the power supply in the power-on reset circuit,an power-on reset circuit is proposed,which is composed of sampling circuit,current comparison circuit and level shift circuit,and it can accurately judge the reset.The design with hysteresis is added to reduce the influence of power noise on output circuit.The POR circuit was simulated based on 0.5μm CMOS process.The results show that the circuit works at 5 V supply voltage,the power threshold is 3.19 V under typical process and temperature,and the influence of different process and temperature on power threshold is small,and the error range is 0.31%-4.7%.
关 键 词:上电复位电路 Brokaw带隙基准 电流比较电路 迟滞
分 类 号:TN492[电子电信—微电子学与固体电子学]
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