高压IGBT器件用200mm硅外延材料制备技术研究  

作　　者：魏建宇 杨帆 王银海 邓雪华 

机构地区：[1]南京国盛电子有限公司,江苏南京211111

出　　处：《信息记录材料》2021年第1期19-20,共2页Information Recording Materials

摘　　要：结合高压IGBT器件用200mm硅外延材料的特性要求,从表面缺陷控制、滑移线控制,以及产品电阻率纵向结构分布控制等方面,研究了外延材料制备过程中的各项工艺参数,优化了高压IGBT器件用大尺寸硅外延片的制备方法。通过研究生长温度与表面缺陷的对应性,降低了批产过程中的缺陷废片率;通过研究温场分布趋势与外延片表面滑移线的对应关系,减少了片内滑移线的产生;通过多层外延的控制模式,并采用变掺杂的工艺条件,实现了外延片电阻率纵向结构的特殊分布。

关 键 词：硅外延 表面缺陷 滑移线 温场 纵向结构 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]