安森美半导体发布新的650 V碳化硅(SiC)MOSFET  

ON Semiconductor launched the new 650V SiC MOSFET

出　　处：《电子质量》2021年第2期61-62,共2页Electronics Quality

摘　　要：推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor),近日发布一系列新的碳化硅(SiC)MOSFET器件,适用于功率密度、能效和可靠性攸关的高要求应用。设计人员用新的SiC器件取代现有的硅开关技术,将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、服务器电源(PSU)、电信和不间断电源(UPS)等应用中实现显著更好的性能。

关 键 词：安森美半导体 MOSFET器件 太阳能逆变器 开关技术 功率密度 高能效 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]