一种CMOS芯片抗闩锁电路设计  

The Design of Anti-latchup Circuit for CMOS Chip

作　　者：杨东亮 王梅[1] 郭警涛[1] Yang Dongliang;Wang Mei;Guo Jingtao(Xi'an Aeronautics Computing Technique Research Institute, AVIC, Xi’an Shaanxi 710065, China)

机构地区：[1]航空工业西安航空计算技术研究所,陕西西安710065

出　　处：《山西电子技术》2021年第2期40-41,47,共3页Shanxi Electronic Technology

基　　金：航空科学基金(2016ZC31004)。

摘　　要：阐述了CMOS芯片内部产生“闩锁”效应的机理及其危害;提出了一种CMOS芯片外围保护电路的设计方法,目的在于尽量避免CMOS芯片发生“闩锁效应”而被烧坏。对电路的拓扑形式及各部分的功能进行了详细的描述,CMOS外围保护电路进行设计完善后,CMOS芯片使用情况良好,未再发生过类似故障。The physical mechanisms and harm of latchup effect in CMOS chip are expatiated.For purpose of avoiding CMOS chip from being destroyed by latchup effect,a peripheral protect circuit for CMOS chip is designed.The paper describes anti-latchup circuit’s topological structureand function in details.After improvement of peripheral protect circuit,CMOS chip hasn’t occurred similar fault in recent three years.

关 键 词：CMOS芯片 抗闩锁 外围保护电路 拓扑 

分 类 号：V242[航空宇航科学与技术—飞行器设计] TN433[电子电信—微电子学与固体电子学]