英飞凌推出第二代高可靠非易失性SRAM  

Infineon launches the Generation II high reliable and nonvolatile SRAM

出　　处：《电子质量》2021年第4期92-92,共1页Electronics Quality

摘　　要：近日,英飞凌科技股份公司(FSE:IFX/OTCQX:IFNNY)旗下的Infineon Technologies LLC宣布推出第二代非易失性静态RAM(nvSRAM)。新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证,支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用,包括航天和工业应用。

关 键 词：非易失性 数据记录 静态RAM 英飞凌科技 苛刻环境 SRAM 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]