三星3纳米MBCFET技术明年亮相  

出　　处：《半导体信息》2021年第2期21-22,共2页Semiconductor Information

摘　　要：三星晶圆厂将成为第一家在即将到来的3nm工艺中使用类似全栅场效应晶体管(GAAFET)结构的半导体制造商。虽然该节点尚未准备就绪,但在IEEE国际固态电路会议(ISSCC)上,三星晶圆厂的工程师分享了有关即将推出的3nm GAE MBCFET(multi-bridge channel FET)制造技术的一•些细节。据介绍,有两种类型的GAAFET:典型的GAAFET,这被称为具有“薄”鳍的纳米线。以及MBCFET,称为具有“厚”鳍的纳米片。

关 键 词：晶圆厂 半导体制造商 场效应晶体管 准备就绪 三星 MBC FET 两种类型 

分 类 号：F41[经济管理—产业经济]