磁控溅射法对制备MgB_(2)超导薄膜性能的影响  

作　　者：张竺立 李向东 

机构地区：[1]长治学院电子信息与物理系,山西长治046011 [2]山西大学物理电子工程学院激光光谱研究所,山西长治030006

出　　处：《长治学院学报》2021年第2期27-31,共5页Journal of Changzhi University

基　　金：长治学院校级课题“金属元素掺杂对铌酸锂薄膜电化学性能的影响研究”(XJ2020000701)。

摘　　要：MgB_(2)超导转变温度可达39 K,结构简单,临界电流密度高。由于MgB_(2)可以承载高电流密度和磁场,从而在超导电子器件领域具有很大的应用潜能。电子器件是以薄膜为基础的,因此制备出性能优越的MgB_(2)超导薄膜尤为重要。文章通过将脉冲激光沉积法、分子束外延法、化学气相沉积法和混合物理化学气相沉积法、电子束退火法与磁控溅射法制备的MgB_(2)超导薄膜进行比较,分析了磁控溅射法的优越性。简述了磁控溅射法制备MgB_(2)超导薄膜的研究现状及掺杂对MgB_(2)超导薄膜性能的影响,对制备高性能的MgB_(2)超导薄膜具有重要的参考价值。

关 键 词：超导材料 MGB2 磁控溅射法 制备 

分 类 号：O469[理学—凝聚态物理]