激光退火技术在集成电路源漏极制备中的应用与发展  

作　　者：张为国 唐世弋 张俊 黄元昊 罗闻 

机构地区：[1]上海微电子装备(集团)股份有限公司,上海201203

出　　处：《电子元器件与信息技术》2021年第3期44-46,共3页Electronic Component and Information Technology

基　　金：上海张江国家自主创新示范区专项(项目编号:ZJ2020-ZD-006)。

摘　　要：未来一段时间半导体市场整体是逐渐增长的,尤其是以5G、Al等深度学习芯片以及大数据和云计算等应用推动集成电路芯片需求的不断增长,摩尔定律的发展可以看作是栅极沟道尺寸不断缩小的过程,其CMOS电路制备工艺中快速热退火RTP技术的热预算和温度控制的局限性不能满足其制作需求,而更加精确的温度控制与更高热预算特性的激光退火技术必将在CMOS先进器件中具有广阔的前景。

关 键 词：源漏极 激光退火 CMOS电路 热预算 温度控制 

分 类 号：TN405[电子电信—微电子学与固体电子学]