AlN多层陶瓷基板一体化封装  

作　　者：秦超 张伟 李富国 王颖麟 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第二研究所,山西太原030024

出　　处：《电子元器件与信息技术》2021年第3期53-54,共2页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：随着电子器件和系统的快速发展,电子陶瓷技术不断提升,广泛应用于光通讯、智能设备、国防军工等领域。氮化铝陶瓷材料凭借其与半导体材料相兼容的热膨胀系数和优异的散热性能,成为了电子陶瓷材料的研究热点。本文介绍了一种基于氮化铝多层陶瓷基板的一体化封装技术,从AlN陶瓷基板的高温共烧制备技术、一体化封装结构方案、工艺实施路径几方面进行了阐述。通过试验测试表明该一体化方案结构合理,气密性完好,易于实现,具有广阔的应用前景。

关 键 词：氮化铝 高温共烧陶瓷 一体化封装 

分 类 号：TN603[电子电信—电路与系统]