检索规则说明:AND代表“并且”;OR代表“或者”;NOT代表“不包含”;(注意必须大写,运算符两边需空一格)
检 索 范 例 :范例一: (K=图书馆学 OR K=情报学) AND A=范并思 范例二:J=计算机应用与软件 AND (U=C++ OR U=Basic) NOT M=Visual
作 者:占燕 张红[2] 李晨虎[2] 占归来 刘登堂[3] 骆艳丽
机构地区:[1]上海交通大学医学院附属仁济医院,上海市200127 [2]上海市徐汇区精神卫生中心 [3]上海交通大学医学院附属精神卫生中心
出 处:《精神医学杂志》2021年第3期279-283,共5页Journal of Psychiatry
基 金:上海市徐汇区医学科研项目(编号:SHXH201942)。
摘 要:阴性症状及认知缺陷症状均是影响精神分裂症功能预后的重要因素,目前缺乏有效干预手段。重复经颅磁刺激(rTMS)是一种非侵入性干预技术,研究揭示rTMS高频刺激前额叶背外侧(DLPFC)对精神分裂症的阴性症状及认知缺陷症状可能具有改善作用,但具体干预模式,如双侧DLPFC是否优于单侧(左侧)DLPFC有待进一步研究。
关 键 词:精神分裂症 重复经颅磁刺激 前额叶背外侧 阴性症状 认知缺陷症状
分 类 号:R749.3[医药卫生—神经病学与精神病学]
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