大功率高集成射频接收前端开关模块设计  

作　　者：陆遥 黄贞松 匡珩 宋艳 

机构地区：[1]南京邮电大学 [2]南京国博电子有限公司

出　　处：《电子世界》2021年第13期114-117,共4页Electronics World

摘　　要：本文采用氮化铝陶瓷基板、PIN二极管芯片,优化传统射频开关结构电路图和版图设计,通过合理的热设计结合电磁仿真,研制出一种新型的宽带大功率高集成单刀双掷开关。在1.9~4GHz频带内发射通道插入损耗小于0.5dB,接收通道隔离度大于43dB,可通过CW功率120W。

关 键 词：PIN二极管 版图设计 插入损耗 电磁仿真 高集成 通道隔离度 单刀双掷开关 射频接收前端 

分 类 号：TN9[电子电信—信息与通信工程]