可实现上下变频功能的镜像抑制混频器芯片  

作　　者：马晓亮 李珂 

机构地区：[1]中国电子科技集团公司第十三研究所,河北省石家庄市050000

出　　处：《电子技术与软件工程》2021年第15期68-69,共2页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文通过对上变频边带抑制和下变频时镜频抑制原理分析,通过集成开关对中频电桥的隔离端进行切换,来改变中频电桥对IQ信号的相位合成关系,保证了在发射和接收时,始终保持对同一个边带的抑制功能和另一个边带的合成功能,最终实现了可用于收发系统的镜像抑制混频器芯片,本振频率范围17-20GHz,射频频率范围14-17GHz,中频频率范围3-4GHz。芯片基于GaAspHEMT工艺开发完成,芯片尺寸为2.25mm*1.50mm*0.10mm。测试结果显示,频带内镜像抑制度大于20dBc,边带抑制度大于20dB,很好的保证了整个收发变频系统的抗干扰能力。

关 键 词：—镜像抑制混频器 MMIC 上下变频 正交耦合器 

分 类 号：TN773[电子电信—电路与系统]