Zr/Ti比对PMN-PZT压电陶瓷结构与电学性能的影响研究  

作　　者：项光磊 汪跃群 盖学周 高亮 

机构地区：[1]第七一五研究所,杭州310023

出　　处：《声学与电子工程》2021年第3期40-43,共4页Acoustics and Electronics Engineering

摘　　要：文章制备了铌锰-锆钛酸铅压电陶瓷(0.04Pb(Mn1/3Nb2/3)O3-0.96Pb(ZrxTi0.995-x)O3),研究了Zr/Ti比对该体系结构与电学性能的影响。在Zr/Ti=0.515/0.48~0.50/0.495的范围内,该体系具有四方相结构。当Zr/Ti=0.505/0.49时具有最佳的电学性能,此时d33=344 pC/N,kp=0.55,tanδ=0.26%,εr=1400,Qm=917,TC=366℃。此外,在E=3 kV/mm下,该组分具有矫顽场EC=1559 V/mm、内偏置场Ei=706 V/mm的铁电性能。结果表明,该组分有望实现大功率发射用压电陶瓷的技术应用。

关 键 词：低损耗 大功率发射型压电陶瓷 高矫顽场 

分 类 号：TQ174.1[化学工程—陶瓷工业]