超宽禁带半导体氧化镓材料的产业进展及未来展望  

作　　者：李龙 宫学源 李培刚 

机构地区：[1]北京镓创科技有限公司 [2]埃米空间新材料孵化器 [3]北京邮电大学

出　　处：《新材料产业》2021年第5期14-19,共6页Advanced Materials Industry

摘　　要：1前言从2020年开始,日本经济产业省(METI)大力支持“氧化镓(Ga_(2)O_(3))”半导体材料发展,计划2025年前为私营企业和大学提供共约1亿美元财政资金,意图占领下一代功率半导体产业发展的制高点。以Novel Crystal Technology和Flosfia为代表的初创企业,正在联合田村制作所、三菱电机、日本电装和富士电机等科技巨头,以及东京农工大学、京都大学和日本国家信息与通信研究院等科研机构,推动Ga_(2)O_(3)单晶及衬底材料以及下游功率器件的产业化,日本政产学研投各界已开始全面布局超宽禁带半导体--氧化镓材料。

关 键 词：初创企业 宽禁带半导体 功率半导体 京都大学 富士电机 科研机构 氧化镓 三菱电机 

分 类 号：F416[经济管理—产业经济]