氮化镓半导体材料研究与应用现状  

作　　者：余伟业 

机构地区：[1]广东省科技图书馆 [2]广东省科学院信息研究所

出　　处：《新材料产业》2021年第5期24-28,共5页Advanced Materials Industry

摘　　要：电力电子、新能源、电动汽车、5G通讯、高速轨道列车、能源互联网和智能工业等领域的兴起,对功率器件的性能提出了越来越高的要求。但传统硅(S i)器件已达到材料的物理极限,无法满足当前应用场景的需求。作为第3代半导体材料的典型代表,氮化镓(GaN)在1928年由Johason等人首次成功制备,在一个大气压下,其晶体一般呈六方纤锌矿结构,其化学性质稳定,具有宽带隙(3.39eV)、高击穿电压(3×10^(6)V/cm)、高电子迁移率(25℃,1000cm^(2)/V·s)、高异质结面电荷密度(1×10^(13)cm^(-2))等诸多良好的电化学特性,相对于第1代半导体材料S i和第2代半导体材料砷化镓(GaAs)器件而言,GaN器件可以在更高频率、更高功率、更高温度的情况下工作[1-3],因而被认为是制备高温、高频、大功率器件的首选材料之一。

关 键 词：半导体材料 大功率器件 六方纤锌矿结构 击穿电压 电力电子 面电荷密度 物理极限 异质结 

分 类 号：TN304[电子电信—物理电子学]