固态硬盘芯片技术探析  

作　　者：杨超 

机构地区：[1]浙江大华存储科技有限公司

出　　处：《中国安防》2021年第11期33-41,共9页China Security & Protection

摘　　要：技术背景1967年,贝尔实验室发明了浮栅晶体管(Floating Gate Transistor),它跟MOSFET管相似只是多了个浮栅(Floating gate),被高阻抗的材料包裹和上下层绝缘,电荷通过量子隧道效应进入浮栅,它能够保持电荷,能实现掉电不丢数据。这是现在固态硬盘(SSD,Solid State Drive或Solid State Disk)存储材料Nand Flash的技术来源。

关 键 词：固态硬盘 存储材料 浮栅 SOLID 量子隧道效应 Flash 层绝缘 高阻抗 

分 类 号：TP333[自动化与计算机技术—计算机系统结构]