主要国家半导体芯片制程技术专利趋势  

作　　者：罗毅 

机构地区：[1]上海外国语大学

出　　处：《世界科技研究与发展》2021年第5期522-522,共1页World Sci-Tech R&D

摘　　要：2021年7月20日,韩国知识产权局网站发布半导体芯片制程技术专利趋势分析结果,研究发现,引领半导体芯片制程技术的鳍式场效应晶体管技术(Fin Field-Effect Transistor,FinFET)正在失势,全环栅晶体管技术(Gate all around Field Effect Transistor,GAAFET)正在兴起。

关 键 词：半导体芯片 制程技术 FINFET 晶体管技术 专利 EFFECT 

分 类 号：TN40-18[电子电信—微电子学与固体电子学]