可以在1000℃高温下保持稳定的氮化镓/金刚石半导体材料  

作　　者：鄢翔(编译) 

机构地区：[1]不详

出　　处：《中国超硬材料》2021年第3期101-102,共2页Superhard Abrasives of China

摘　　要：近日,科学者首次将氮化镓与金刚石键合,为制备高导电性的半导体和高功率器件提供了有效路径。结论。研究人员成功地在室温下将金刚石和氮化镓(GaN)直接键合,并证明该材料可承受1000℃的热处理,使其成为GaN基器件高温制造工艺的理想选择。氮化镓/金刚石半导体材料为制备下一代高功率、高频器件提供一种可能。

关 键 词：直接键合 高导电性 高频器件 制造工艺 半导体 金刚石 有效路径 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]