26.5 GHz InP宽带梳谱单片  

26.5 GHz InP Wideband Comb Generator MMIC

作　　者：张有涛[1,2] 程伟 赵莹莹[2] ZHANG Youtao;CHENG Wei;ZHAO Yingying(Science and Technology on Monolithic Integrated Circuits and Modules Laboratory,Nanjing Electronic Devices Institute,Nanjing,210016,CHN;Nanjing Guobo Electronic Company Limited,Nanjing,211100,CHN)

机构地区：[1]微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室,南京电子器件研究所,南京210016 [2]南京国博电子股份有限公司,南京211100

出　　处：《固体电子学研究与进展》2021年第6期F0003-F0003,共1页Research & Progress of SSE

摘　　要：基于101.6mm(4英寸)0.7μm Inp DHBT工艺,南京电子器件研究所首次研制出26.5 GHz宽带梳谱单片集成电路。与常规雪崩二极管及非线性传输线方案不同,芯片采用有源电路实现,具有对外部输入功率不敏感、输出频谱高平坦度、低相噪等特点,芯片面积约为1.00mm×0.75mm。图1为芯片照片,图2和图3分别为芯片在输入100MHz信号下的频域及时域测试结果。Inp有源梳谱单片可输出脉冲宽度为21ps的极窄脉冲,幅度为500Vpp,在26.5Ghz带宽内的输出平坦度小于12dBc,显示了梳谱单片的性能优势,也体现了InP HBT器件的高频特性。

关 键 词：单片集成电路 雪崩二极管 非线性传输线 输出频谱 高频特性 极窄脉冲 时域测试 平坦度 

分 类 号：TN40[电子电信—微电子学与固体电子学]