HMGB1/TLR4信号通路-细胞凋亡在脑缺血再灌注损伤中的作用及研究进展  

作　　者：蔡乐 李想 王勇 

机构地区：[1]广西肿瘤免疫与微环境调控重点实验室,广西桂林541004 [2]桂林医学院,广西桂林541004

出　　处：《四川生理科学杂志》2022年第3期561-564,共4页Sichuan Journal of Physiological Sciences

基　　金：国家自然科学基金地区科学基金项(81860231)资助课题。

摘　　要：脑缺血再灌注是涉及多种发病机制,具有复杂的级联反应性的病理生理过程,凋亡(细胞程序性死亡)在此过程中发挥着重要作用。高迁移率族蛋白1(High-mobility group box 1,HMGB1)通过与糖基化终末产物受体(Receptor for advanced glycation end products,RAGE)或Toll样受体(Toll like receptors,TLRs)等受体结合,激活下游相应的信号通路,调节神经炎症,参与神经细胞的存活/凋亡。本文就脑缺血再灌注后HMGB1/TLR4信号通路与细胞凋亡的关系进行综述,旨在为缺血性脑卒中的基础研究和临床治疗提供新的靶点和思路。

关 键 词：脑缺血再灌注 细胞凋亡 HMGB1/TLR4信号通路 

分 类 号：R73[医药卫生—肿瘤]