基于热成像的GaN HEMT热阻测量  

作　　者：孙明[1] 王爽 黄东巍[1] 周钦沅 

机构地区：[1]中国电子技术标准化研究院,北京100176

出　　处：《电子元器件与信息技术》2022年第1期3-5,共3页Electronic Component and Information Technology

摘　　要：热阻的准确对功率器件可靠性评价有非常大的影响。利用红外热成像和反射率热成像两种方法,对GaN HEMT器件开展了基于热成像的热阻测试研究。根据GaN材料在不同波长下反射率热校准系数的差异,采用不同波长光源对其进行了测量。反射率热成像测试采用365nm LED作为光源,获得约0.3μm测量空间分辨率的热成像结果。对比测试结果,两种方法的热阻结果接近。分析原因,由于红外热成像测试时,器件温度更高,管壳和衬底材料的热导率降低,增大了器件的热阻值,抵消了对峰值结温测量结果的影响。

关 键 词：GaN HEMT 热阻 热成像 热反射率 

分 类 号：TN386[电子电信—物理电子学]