东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET,可大幅提高电源效率  

出　　处：《变频器世界》2022年第4期36-36,共1页The World of Inverters

摘　　要：东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出150V N沟道功率MOSFET——“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺,适用于工业设备开关电源,其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比,TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3],从而实现了优异的低损耗特性。此外,开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压降低,有助于减少开关电源的电磁干扰(EMI)。

关 键 词：导通电阻 开关电源 尖峰电压 损耗特性 漏极 源极 MOSFET 存储装置 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]