GJB151B CS115的电路仿真分析(二)--标准应用分析  

Circuit simulation of GJB151B CS115 part Ⅱ: The analysis of application

作　　者：崔志同[1] 陈伟[1] 董亚运 聂鑫[1] 吴伟[1] 刘政 Cui Zhitong;Chen Wei;Dong Yayun;Nie Xin;Wu Wei;Liu Zheng(State Key Laboratory of Intense Pulsed Radiation Simulation and Effect,Northwest Institute of Nuclear Technology,Xi’an 710024,China)

机构地区：[1]西北核技术研究所强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室,西安710024

出　　处：《强激光与粒子束》2022年第6期35-40,共6页High Power Laser and Particle Beams

基　　金：强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室基金项目(SKLIPR1901)。

摘　　要：为解决GJB151B CS115电缆束注入脉冲传导敏感度测试项目中的试验设计、效果预估等问题,在介绍不同类型受试线缆感性脉冲电流注入电路模型的基础上,仿真分析了试验设置中的各项因素(线缆设置、末端负载等)对注入到受试设备端口耦合电流/电压的影响,得到了CS115试验设置中存在的一些规律性特征,给出了应用电路仿真开展CS115试验设置分析和优化的方法。To design the test setup and predict the effect of GJB151B CS115“impulse excitation bulk cable injection conducted susceptibility”,we introduced the circuit model of inductive pulse current injection for different type of cables.The influences on the injected voltage/current caused by the factors of the test setup are simulated and analyzed.Some regularity characteristics of CS115 test setting are summarized,and the method of CS115 test design and optimization by circuit simulation is proposed.

关 键 词：电磁脉冲 CS115 脉冲电流注入 感性耦合 电路仿真 

分 类 号：TM13[电气工程—电工理论与新技术] O441[理学—电磁学]