基于类EIT效应的光子晶体全光开关设计分析  

作　　者：高帅华 

机构地区：[1]厦门大学电子科学与技术学院,福建省厦门市361102

出　　处：《电子技术与软件工程》2022年第12期148-152,共5页ELECTRONIC TECHNOLOGY & SOFTWARE ENGINEERING

摘　　要：本文介绍了基于类EIT效应设计并通过微加工刻蚀技术制备新型光子晶体全光开关,能够在1550nm波段实现较好的开关效果,为光通信领域提供新的设计思路。本文介绍了新型类EIT效应光子晶体全光开关的工作原理、制备方法和性能分析。通过控制两个光子晶体微腔谐振波长,控制类EIT实现选频特性,达到光开关的效果,使用FDTDsolution可得到良好的仿真光谱特性,在1550nm实现稳定开关功能。另外,本文介绍了对实际制备工艺流程的性能缺陷和晶体瑕疵等问题的优化方案和思路。

关 键 词：全光开关 类EIT效应 KERR效应 电子束刻蚀 

分 类 号：TN256[电子电信—物理电子学]