能华推出首款高Vth的增强型GaN器件  

出　　处：《变频器世界》2022年第8期48-49,共2页The World of Inverters

摘　　要：氮化镓GaN以开关速度快,导阻低,低输入输出电荷的优势,应用在快充上逐渐取代了传统的高压硅MOS管。使用GaN取代硅MOS管,不仅降低了开关损耗,提高充电器的转换效率,使得充电器无需设计大面积的散热片;而且大幅提升了功率器件开关频率,减小变压器电感量,缩小变压器尺寸,进而减小充电器的体积。目前市场上的GaN产品主要有Cascode GaN和E mode GaN两种,其中E mode GaN的阈值电压Vth典型值都在1.2-1.5V左右,而高压Si MOSFET的Vth典型值普遍是3-4V。

关 键 词：开关速度 阈值电压 MOS管 GAN 转换效率 充电器 电感量 散热片 

分 类 号：TN3[电子电信—物理电子学]