Morse势阱中光整流和电光效应的研究(英文)  

Study on Optical Rectification and Electro-optic Effects in Morse Quantum Well

作　　者：于凤梅[1] 郭康贤[1] 俞友宾[1] 

机构地区：[1]广州大学理学院,广东广州510405

出　　处：《广州大学学报（自然科学版）》2002年第6期7-11,共5页Journal of Guangzhou University:Natural Science Edition

基　　金：ThisworkwassupportedbyNaturalScienceFoundation(No .0 11835 )ofGuangdongProvince ,P .R .China .

摘　　要：利用量子力学中的密度矩阵算符理论和迭代方法 ,得到Morse势阱中的光整流系数和电光效应的解析表达式 .并以典型的GaAs/AlGaAs莫尔斯量子阱为例进行了数值计算 .研究结果表明 ,较大的光整流系数和电光效应与系统的非对称性有关 ,系统的非对称性越大 ,光整流系数和电光效应越大 .Analytical expressions of optical rectification and electro-optic effects in Morse quantum well are obtained by density matrix approach and iterative method. Numerical results are illustrated for a typical GaAs/AlGaAs Morse quantum well. It is found that the optical rectification coefficient and electro-optic effects increase with the enhancement of the asymmetry of Morse quantum well.

关 键 词：MORSE势阱 光整流 电光效应 量子力学 密度矩阵算符理论 GaAs/AlGaAs莫尔斯量子阱 

分 类 号：O471.1[理学—半导体物理]