线粒体氧化应激相关分子在脑缺血再灌注损伤中作用的研究进展  被引量:2

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作  者:杨雨鸣 王淑英[1,2] 

机构地区:[1]佳木斯大学基础医学院 [2]黑龙江省微生物-免疫调节网络与相关疾病重点实验室,黑龙江佳木斯154007

出  处:《牡丹江医学院学报》2022年第5期117-120,共4页Journal of Mudanjiang Medical University

基  金:黑龙江省卫生健康委科研计划项目(20210101010061)。

摘  要:缺血性脑卒中致残率高、致死率高,脑卒中后恢复血流灌注造成的缺血再灌注损伤也会对脑组织造成进一步损害。氧化应激是缺血再灌注损伤的主要机制之一。线粒体是氧化应激机制中的重要环节,其结构和功能的稳定性对缺血再灌注损伤神经元的保护具有积极意义。本文就线粒体氧化应激相关分子在脑缺血再灌注损伤进程中的作用进行综述,旨在为临床及实验研究提供参考。

关 键 词:线粒体 氧化应激 脑缺血再灌注损伤 

分 类 号:R743.3[医药卫生—神经病学与精神病学]

 

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